उत्पाद का विवरण
उत्पत्ति के प्लेस: गुआंगज़ौ, चीन
ब्रांड नाम: PUNAISGD/CABLEPULS
प्रमाणन: ISO/CE/ROSH
मॉडल संख्या: जीसीवाईएफवाई-96बी1.3
दस्तावेज़: उत्पाद पुस्तिका पीडीएफ
भुगतान और शिपिंग की शर्तें
न्यूनतम आदेश मात्रा: 2 मी
मूल्य: negotiate
पैकेजिंग विवरण: लकड़ी का स्पूल/ड्रम
प्रसव के समय: 5-25 दिन
भुगतान शर्तें: 30% टीटी जमा के रूप में, 70% शिपिंग से पहले संतुलन।
आपूर्ति की क्षमता: 100 किमी
मॉडल: |
जीसीवाईएफवाई-96बी1.3 |
पद: |
हवा से उड़ा माइक्रो केबल |
जैकेट सामग्री: |
पीई म्यान |
फाइबर का प्रकार: |
जी.652डी/जी657ए1 |
केबल का रंग: |
काला/नारंगी |
मॉडल: |
जीसीवाईएफवाई-96बी1.3 |
पद: |
हवा से उड़ा माइक्रो केबल |
जैकेट सामग्री: |
पीई म्यान |
फाइबर का प्रकार: |
जी.652डी/जी657ए1 |
केबल का रंग: |
काला/नारंगी |
| विशेषता | मूल्य |
|---|---|
| मॉडल | GCYFY-96B1.3 |
| पद | हवा से उड़ाया गया माइक्रो केबल |
| जैकेट सामग्री | पीई शीट |
| फाइबर का प्रकार | G.652D/G657a1 |
| केबल रंग | काला/नारंगी |
| पैरामीटर | विनिर्देश |
|---|---|
| क्षीणन @ 1310 एनएम | ≤ 0.38 डीबी/किमी |
| कमजोरी @ 1550 एनएम | ≤ 0.25 डीबी/किमी |
| शून्य फैलाव तरंग दैर्ध्य | 1300-1324 एनएम |
| रंग विसारण @ 1550 एनएम | ≤ 18 ps/nm.km |
| विशेषता | विनिर्देश |
|---|---|
| अधिकतम तन्य शक्ति | 700 एन |
| क्रश प्रतिरोध | 500 एन/10 सेमी |
| प्रभाव प्रतिरोध | 10 एनएम |
| न्यूनतम झुकने की त्रिज्या (लंबी अवधि) | 20D (D = केबल व्यास) |
| परिचालन तापमान सीमा | -20°C से +60°C |
| नाममात्र केबल व्यास | 6.0 ± 0.5 मिमी |
| फाइबर की संख्या | सीएसएम व्यास | बाहरी जैकेट की नाममात्र मोटाई | केबल का व्यास | केबल का वजन | झुकने की त्रिज्या |
|---|---|---|---|---|---|
| 2-12 | 1.4/1.4 | 1.6 | 3.5 | 11 | 10D/20D |
| 14-24 | 1.4/1.4 | 1.6 | 4.1 | 14 | 10D/20D |
| २६-७२ | 1.4/1.4 | 1.6 | 5.0 | 22 | 10D/20D |
| 74-96 | 1.4/1.4 | 1.6 | 5.9 | 33 | 10D/20D |
| ९८-१२० | 1.4/1.4 | 1.6 | 7.0 | 43 | 10D/20D |
| 122-144 | 1.6/1.6 | 1.6 | 7.7 | 52 | 10D/20D |
| 146-216 | 1.6/1.6 | 1.6 | 7.9 | 52 | 10D/20D |
| 218-288 | 1.6/1.6 | 1.6 | 9.0 | 72 | 10D/20D |
| पद | इकाई | विनिर्देश |
|---|---|---|
| फाइबर का प्रकार | G652D | |
| मोड क्षेत्र व्यास @ 1310nm | μm | 9.2±0.4 |
| मोड क्षेत्र व्यास @ 1550nm | μm | 10.4±0.8 |
| आवरण का व्यास | μm | 125.0±0.1 |
| आवरण की गैर-सर्कुलरता | % | ≤1.0 |
| कोर/क्लेडिंग समकक्षता त्रुटि | μm | ≤0.5 |
| कोटिंग व्यास | μm | 245±7 |
| कोटिंग/क्लेडिंग समकक्षता त्रुटि | μm | ≤12 |
| केबल कट-ऑफ तरंग दैर्ध्य | μm | ≤1260 |
| क्षीणन गुणांक @ 1310nm | डीबी/किमी | ≤0.36 |
| क्षीणन गुणांक @ 1550nm | डीबी/किमी | ≤0.22 |
| प्रूफ तनाव स्तर | केपीएसआई | ≥100 |
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